Вчені з Китаю встановили світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши флеш-пам’ять з ім’ям PoX, яка може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій є енергонезалежним і набагато швидшим за інші сучасні аналоги, такі як SRAM і DRAM. Для цього використовувались алгоритми штучного інтелекту, що допомогли оптимізувати технологію. Вчені розглядають можливість перетворення цього пристрою на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
